فیزیک 6. توصیف نانوکریستال ها- با استفاده از الیپسومتری طیف نما

توصیف نانوکریستال ها- با استفاده از الیپسومتری طیف نما
1. مقدمهاولین کاربرد الیپسومتری برای اندازه گیری پوشش های نازک پلی- و نانوکریستال به دهه ها پیش بر می گردد. مهمترین گام در مسیر تحقیقات الیپسومتری پوشش های نازک کامپوزیت، شناخت اولین الیپسومتری طیف نما در دهه 70  بوده است [3, 4, 8]، که امکان اندازه گیری نقش دی الکتریک را امکان پذیر ساخت، که جزء انگاری آن مستقیما در ارتباط با حساسیت وضعیت چگالی مشترک الکترونیک بوده که بستگی به تغییرات ساختار کریستال دارد. اولین مدل ها بر مبنای روش میانگین موثر با استفاده از عوامل سارنده توابع دی الکتریک [5] بوده، درحالیکه بخش حجیمی از موئلفه ها در ارتباط با ویژگی های کریستال با پوشش نازک می باشند. این روش بر مبنای نیرومندی اش، محبوب می باشد.

برق 96. تعیین مشخصه های اینورتر CMOS غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده

تعیین مشخصه های اینورتر CMOS غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال و یک ترانزیستور  کنترل شده
    چکیده__در این مقاله، ما یک اینورتر CMOS غیر-معمولی ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال (JL) و یک ترانزیستور  را با فرآیند ساده و چگالی بالای مدار مجتمع، ارایه می دهیم. در اینورتر CMOS غیر-معمولی، به ترتیب، NMOSFET JL به عنوان تحریک و ترانزیستور   به عنوان یک بار، عمل می کند. ما بنابر اطلاعات اندازه گیری شده ی ترانزیستور  ، خط بار اینورتر CMOS را ترسیم کرده و دریافتیم که ترانزیستور   می تواند در مدارات CMOS به منظور بهبود مسایل مربوط به CMOS های مرسوم امروزی، استفاده شود. به علاوه، کاهش سطح 46.1% نیز دست اور دیگر ما است.