برق 16. نمایشگر کنترل مسیر الکترون

نمایشگر کنترل مسیر الکترون ( بررسی )
نمایشگر کنترل مسیر الکترون یا ECD برای اجزای مربوط به الکترونگاتیو به خصوص مولکول های کلرید، فلورید و برمید انتخابی می باشد. این به برخی از این اجزا در محدوده بخش هایی به ازای هر تریلیون یا ppt حساس می باشد. نمایشگر ECD نیاز به نیتروژن یا آرگون 5 درصد و متان برای راه اندازی شدن دارد. نمایشگر ECD فورا در مجاورت با ستون پشتی در سمت راست دیوار بر روی شاسی SRIGC شما نصب می گردد. دو کابل BNC آند و کاتد را به ترتیب به آپلیفایر ECD متصل می کند. آشکار کننده ECD شامل یک فولاد ضد زنگ سیلندری حاوی 5 میلی کوریس نیکل رادیو اکتیو 63 در یک آون بسته می باشد که از نظر پایداری حرارتی قابل کنترل با توجه به دمای پیرامونی نسبت به 375 درجه سلسیوس می باشد. از آن جایی که ردیاب یا آشکار کننده حاوی تنها 5 میلی کوریس نیکل 63 می باشد از این رو ECD توسط General License پوشش داده می شود که نیاز به آزمون مالش دادن دوره ای و پر کردن یک فرم با وضعیت و حالت مربوط به سازمان سلامت دارد. سند سازی کردن برای کسب کردن یک منبع رادیو اکتیو شامل ECD دستی مربوط به Valco ضروری می باشد. این سند سازی انتقال دهنده مالکیت مستقیم ECD به شما از طرف Valco است، SRI فراهم کننده تاسیسات ECD و GC می باشد. چهار سند مهم برای بررسی کردن وجود دارد: 1- مدرک مربوط به منبع مهر و موم شده 2- شرایط برای پذیرش کلی ابزار مجاز 3- آزمون مشخصات و 4- گزارش مربوط به منبع انتقال. Valco ممکن است آدرس های شما را نسبت به کپی ها چندگانه از گزارش مربوط به منبع انتقال پرینت بگیرد که توسط شما و حوزه ای با حالت مناسب و توانایی محلی کامل می گردد. اسناد دیگر با ردیاب یا آشکار کننده ECD باقی می مانند و برای بهبود بخشیدن به مالکیت مجاز ECD اثبات شده اند.

برق 74. شبیه سازی D-STATCOM و DVR در سیستم های قدرت

شبیه سازی D-STATCOM و DVR در سیستم های قدرت
چکیده    یک مساله کیفیت توان، رویدادی است که بصورت یک ولتاژ، جریان یا فرکانس غیر استاندارد آشکار می شود و منجر به یک خطا یا عملکرد نادرست تجهیزات کاربران پایانی می شود. شبکه های توزیع صنایع همگانی، بارهای صنعتی حساس و عملیات مهم تجاری، از انواع متفاوت خاموشی ها و قطع شدگی سرویس _که می تواند هزینه های مالی چشمگیری را به بار آورد_ رنج می برند. با ساخت دوباره سیستم های قدرت و با هدایت روند به سوی تولید توزیع شده و پخش شده، مسایل کیفیت توان در حال گرفتن شکلی جدید می باشد. در کشورهای در حال توسعه مانند هند _که در آن تغییرات فرکانس توان و عوامل مشکل-ساز بسیار دیگر کیفیت توان به تنهایی سوالی جدی هستند_ برداشتن گامی مثبت در این راستا، بسیار مهم می باشد. این مقاله، بر آن است تا مسایل برجسته در این زمینه را مشخص کرده، و ازینرو اقداماتی که می توانند موجب بهبود کیفیت توان شوند نیز، توصیه خواهند شد.    این مقاله، تکنیک های تصحیح فلش، برآمدگی و قطعی ولتاژ منبع را در یک سیستم توزیع شده، تشریح می کند. هم اکنون، گستره پهناوری از کنترل کننده های بسیار انعطاف پذیری که بر روی عناصر الکترونیک قدرت موجود جدید سرمایه گذاری می کنند، در حال توسعه برای کاربردهای توان سفارشی، می باشند. از آن میان، جبران ساز استاتیک و بازیاب دینامیکی ولتاژ، پربازده ترین وسایل هستند، که هر دوی آنها مبتنی بر اصل VSC می باشند. یک DVR (بازیاب دینامیکی ولتاژ)، یک ولتاژ را بصورت سری به ولتاژ سیستم تزریق می کند و یک D-STATCOM یک جریان به سیستم تزریق می کند تا فلش، برآمدگی، و قطعی ولتاژ را تصحیح کنند. نتایج جامع نیز ارایه شده است تا عملکرد هر کدام از وسایل بعنوان یک راه حل توان سفارشی بالقوه، ارزیابی شود.کلیدواژه ها: D-Statcom، DVR، افت ولتاژ، برآمدگی، قطعی، کیفیت توان، VSC.

برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری
چکیدهدر این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای  در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایشهای گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی  و زمان نگهداری  نیز بهبود می یابد.

برق 4. تاثیر کاربرد بازده انرژی بر روی شبکه توزیع

تاثیر کاربرد بازده انرژی بر روی شبکه توزیعچکیدهبازده انرژی برای بازارهای پیشرفته برق امر مهمی به شمار می آید.توجه به راندمان , سطح تحمل و تعهدات شرکتی به عنوان یک امر کلیدی در ارتباط با تسهیلات جهانی به شمار می آید. این مقاله روش های مراکز تولید برق ایتالیا را در ارتباط با بازده انرژی به منظور کاهش مصرف برق از طریق فعالیت هایی که به مشتریان ارائه می گردد توضیح می دهد.از سال 2004 , اهداف مربوط به ذخایر انرژی سالانه توسط قانون گذاران ایتالیایی که شامل موسسه ذخیره انرژی (ESCO) می باشد تاسیس شد.به دلیل اهمیت و تعهد موقعیت بازاری و پیشرفت های قابل حصول , شرکت انل نقش استراتژیکی را برای دستیابی به اهداف ملی و استفاده از انرژی به طور منطقی بازی می کرد.

برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتریچکیده در این مقاله، جمع کننده کامل (FA) نوینی ارائه می‌گردد که برای عملکرد با توانهای بسیار پایین بهینه سازی شده است. مدار مذکور، بر پایه گیتهای XOR اصلاح شده‌ای طراحی گشته که با هدف کمینه سازی مصرف توان در ناحیه زیرآستانه‌ای عمل می کنند. نتایج شبیه سازی شده با مدلهای استاندارد CMOS 65 نانومتر انجام شده است. نتایج شبیه سازی، یک بهبود 5 تا 20 درصدی را در بازه فرکانسی 1Khz تا 20MHz و ولتاژهای تغذیه زیر 0.3V نشان میدهد. مقدمه تغییر مقیاس ولتاژ تغذیه  یکی از موثرترین راهها در کاهش مصرف توان مدارهای دیجیتال است. کارایی این روش بعلت وجود رابطه درجه دوم میان مصرف توان دینامیک و ولتاژ تغذیه می باشد. اما در این روش، عملکرد مدار به خاطر رابطه معکوس تاخیر مدار با سطح جریان کاهش می یابد. به همین علت، ولتاژ آستانه را در فرایندهای زیرمیکرونی عمیق برای رفع این مشکل کاهش می دهند. کاهش ولتاژ آستانه، منجر به افزایش نمایی جریان زیرآستانه  می‌گردد که امکان استفاده از این ناحیه (زیرآستانه) را در مدارهای منطقی ارزیابی   - با کران نویز قابل قبول - می دهد. بدون اعمال روشهای خاص، عملکرد زیرآستانه ای سبب کاهش سرعت پاسخگویی (به سبب کاهش جریان) می شود. جریان مورد ارزیابی در این حالت، جریانی است که در ولتاژ گیت –سورس کوچکتر یا مساوی ولتاژ آستانه و ولتاژ تغذیه نزدیک به ولتاژ آستانه رخ می دهد. همانطور که در شکل 1 مشاهده می شود، نسبت I_on (وقتی ترانزیستور در حال ارزیابی است) به I_off (وقتی ولتاژ گیت-سورس صفر یا نزدیک صفر است) در مقایسه با Ion/Ioff در ولتاژهای تغذیه‌ی بالا، کوچکتر است. با این حال، در کاربردهای با مصرف توان بسیار پایین (مثل ایمپلنتها یا حسگرهای بدون سیم)، سرعت کاری دغدغه اصلی طراحی نیست، زیرا قیود پهنای باندی در این موارد با مسامحه اعمال می گردد. برای این کاربردها، مهمترین هدف طراحی بهینه سازی بمنظور مصرف توان پایین است. جمع دو بیت A و B با بیت نقلی Cin، بیت SUM (مجموع)  و بیت خروجی نقلی Cout را تولید می‌کند.