برق 16. نمایشگر کنترل مسیر الکترون

نمایشگر کنترل مسیر الکترون ( بررسی )
نمایشگر کنترل مسیر الکترون یا ECD برای اجزای مربوط به الکترونگاتیو به خصوص مولکول های کلرید، فلورید و برمید انتخابی می باشد. این به برخی از این اجزا در محدوده بخش هایی به ازای هر تریلیون یا ppt حساس می باشد. نمایشگر ECD نیاز به نیتروژن یا آرگون 5 درصد و متان برای راه اندازی شدن دارد. نمایشگر ECD فورا در مجاورت با ستون پشتی در سمت راست دیوار بر روی شاسی SRIGC شما نصب می گردد. دو کابل BNC آند و کاتد را به ترتیب به آپلیفایر ECD متصل می کند. آشکار کننده ECD شامل یک فولاد ضد زنگ سیلندری حاوی 5 میلی کوریس نیکل رادیو اکتیو 63 در یک آون بسته می باشد که از نظر پایداری حرارتی قابل کنترل با توجه به دمای پیرامونی نسبت به 375 درجه سلسیوس می باشد. از آن جایی که ردیاب یا آشکار کننده حاوی تنها 5 میلی کوریس نیکل 63 می باشد از این رو ECD توسط General License پوشش داده می شود که نیاز به آزمون مالش دادن دوره ای و پر کردن یک فرم با وضعیت و حالت مربوط به سازمان سلامت دارد. سند سازی کردن برای کسب کردن یک منبع رادیو اکتیو شامل ECD دستی مربوط به Valco ضروری می باشد. این سند سازی انتقال دهنده مالکیت مستقیم ECD به شما از طرف Valco است، SRI فراهم کننده تاسیسات ECD و GC می باشد. چهار سند مهم برای بررسی کردن وجود دارد: 1- مدرک مربوط به منبع مهر و موم شده 2- شرایط برای پذیرش کلی ابزار مجاز 3- آزمون مشخصات و 4- گزارش مربوط به منبع انتقال. Valco ممکن است آدرس های شما را نسبت به کپی ها چندگانه از گزارش مربوط به منبع انتقال پرینت بگیرد که توسط شما و حوزه ای با حالت مناسب و توانایی محلی کامل می گردد. اسناد دیگر با ردیاب یا آشکار کننده ECD باقی می مانند و برای بهبود بخشیدن به مالکیت مجاز ECD اثبات شده اند.

برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری
چکیدهدر این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای  در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایشهای گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی  و زمان نگهداری  نیز بهبود می یابد.

برق 14. راکتانس ( مقاومت خازنی) و امپدانس ( مقاومت ظاهری )L,R, و C

راکتانس ( مقاومت خازنی) و امپدانس ( مقاومت ظاهری )L,R,  و C
مروری بر R ،X و Z .قبل از اینکه ما شروع به بررسی اثرات مقاومت ، سلف و خازن که در مدارهای الکتریکی مشابه AC به یکدیگر متصل هستند ،  کنیم، اجازه دهید به طور خلاصه برخی از شرایط اساسی و حقایق این مبحث را مورد بازبینی قرار دهیم .              مقاومت اساسا اصطکاک در مقابل حرکت الکترون ها است . این حالت در همه رساناها تا مقداری ( به جز در ابر رسانا ها) ، به ویژه در مقاومت دهنده هاوجود دارد . هنگامی که جریان متناوب  از طریق یک مقاومت انجام می گیرد،یک افت ولتاژ تولید می گردد که هم فاز با جریان متناوب می باشد . مقاومت در قانون ریاضی توسط حرف "R " نشان داده می شود و در واحد اهم (Ω) اندازه گیری می شود. 

برق 42. یک الگوریتم ابتکاری جدید برای مساله تخصیص واحد

یک الگوریتم ابتکاری جدید برای مساله تخصیص واحد
چکیدهتخصیص واحد  (UC) سیستم‌های قدرت مقیاس وسیع یک مساله پیچیدۀ بهینه‌سازی غیرخطی و نوع عدد صحیح مختلط با قیود مختلف است. این مقاله بر اساس اصلاح الگوریتم جستجوی هارمونی (HS) یک روش نوین و موثر برای حل برنامه‌ریزی راهبردی تخصیص واحد‌های تولیدی ارائه می‌کند. این الگوریتم در مقایسه با دیگر روش‌های تکاملی (EM) کاربرد آسانی داشته و در دستیابی به پاسخ بهینه در یک زمان مناسب توانمند است. روش پیشنهادی به کمک یک مجموعه داده‌‌ها مورد ارزیابی قرار می‌گیرد. نتایج بدست آمده نیز با نتایج مقالات دیگر مقایسه می‌شود. نتایج عددی نشان دهنده کارائی و بهبود پاسخ از لحاظ هزینه و زمان اجرا در مقایسه با نتایج دیگر الگوریتم‌های قدرتمند بهینه‌سازی ابتکاری است. 

برق 27. استتار جنبشی در یک وضعیت تصادفی

استتار جنبشی در یک وضعیت تصادفی
چکیده- این کار مدل‌های دو و سه بُعدی و قوانین کنترل هدایتی برای استتار جنبشی، که یک استراتژی تعقیب مخفیانه در طبیعت است، را به زبان ریاضی بیان می‌کند. در اینجا ما مدل را توسعه می‌دهیم تا دربرگیرنده استفاده از یک قانون تعقیب با بهره بالا در حضور نویز حسگر و نیز در مواقعی باشد که هدایت evader (گریزنده) توسط یک فرایند تصادفی فرمان داده می‌شود، تا نشان داده شود که (در تنظیمات مسطح) استتار جنبشی هنوز در زمان محدود قابل دسترسی است. همچنین ما خانواده‌ای از کنترل‌های تصادفی مُجاز گریزنده را بحث کرده و بدین ترتیب برای مطالعه آتی نظریه بازی‌های مربوط به استراتژی‌های بهینه گریز طرحی را بیان می‌کنیم.