برق 20. پردازش سیگنال دیجیتال

پردازش سیگنال دیجیتال
چکیده :تبدیل فوریه گسسته (DFT) نقش اساسی برای تحلیل سیگنال بازی می کند . برای مثال یک کاربرد متداول عبارت است از تبدیل فوریه سریع برای محاسبه تجزیه طیف در روش بلوک به بلوک . هر چند استفاده از تکنیک تبدیل فوریه گسسته بازگشتی که به نوبه خود محاسبه وضوح خوب فرکانس زمان را میسر می کند بدست آوردن نمونه به نمونه را فعال می نماید . خروجی طیف موجود در روش نمونه به نمونه با استفاده از ترکیب خصوصیات شیفت زمان فوریه تفاوت بین جدیدترین نمونه ورودی و خروجی در زمان استفاده طول بازه محدود بدست آمده است . همانگونه که با پردازش تاخیر در هر نمونه ورودی بیشترین نرخ نمونه برداری را مشخص خواهد کرد برای حفظ روش نمونه برداری در فرآیند هماهنگ سازی ، محدودیت نمونه برداری بر روی سخت افزار نهایی اجرا می شود . این کار رویکرد بازگشتی را یک قدم به جلوتر می برد و پردازش نمونه های متعدد اکتسابی را در نمونه برداری بیش از حد برای یدست آوردن طیف خروجی میسر می کند . این کار نشان می دهد که محاسبه تجزیه ریز به ریز طیف در هنگام افزایش پهنای باند سیگنال قابل استفاده با نرخ نمونه برداری بالاتر امکان پذیر است . نتایج نشان می دهند که پردازش بالا با فاکتور های بهبود یافته پهنای باند سیگنال تا 6.7x با پردازش 8 نمونه در هر تکرار زیر خطی را افزایش می دهد .

برق 113. LECTOR: روشی برای کاهش نشتی در مدارات CMOS

LECTOR: روشی برای کاهش نشتی در مدارات CMOS
چکیده___در مدارات سیموس،کاهش ولتاژ آستانه به دلیل مقیاس بندی ولتاژ،منتهی به جریان نشتی زیرآستانه و در نتیجه تلفات توان ایستا (استاتیک) می شود. در اینجا ما روشی تازه به نام LECTOR برای طراحی گیت های سیموس که به  طور قابل توجهی جریان نشتی را بدون افزایش تلفات توان پویا (دینامیک) کاهش می دهد، ارایه می کنیم. در روش پیشنهاد شده ما،دو ترنزیستور کنترل نشتی (یکی نوع n و دیگری نوع p) در درون دروازه های منطقی که ترمینال گیت هر ترانزیستور کنترل نشتی (LCT) توسط منبع گیت دیگر کنترل می شود را معرفی می کنیم. در این آرایش،یکی از LCTها (منظور ترانزیستورهای کنترل نشتی) همیشه به ازای هر ترکیب ورودی،نزدیک به ولتاژ قطع می باشد. این مقاومت مسیر Vdd به گراند را کاهش داده،که این منجر به کاهش چشمگیر جریان نشتی می شود. نت لیست سطح-گیت مدار داده شده،نخست به یک پیاده سازی گیت پیچیده ی CMOS استاتیک تبدیل شده،و سپس LCTها به منظور دستیابی به یک مدار کنترل نشتی معرفی می شوند. ویژگی قابل توجه LECTOR این است که در هر دو حالت فعال و غیرفعال مدار،فعال می باشد که این منجر به کاهش نشتی بهتری نسبت به روش های دیگر می شود. همچنین،روش ارایه شده، دارای محدودیت های کمتری نسبت به دیگر روش های موجود برای کاهش نشتی دارد. نتایج تجربی نشان دهنده ی یک کاهش نشتی متوسط 79.4 درصدی را برای مدارات محک(بنچ مارک) MCNC’91 نشان می دهند.

برق 157. طراحی فیلتر توان اکتیو (قدرت حقیقی) برای منبع قدرت سوئیچینگ ولتاژ پایین و جریان بالا

طراحی فیلتر توان اکتیو (قدرت حقیقی) برای منبع قدرت سوئیچینگ ولتاژ پایین و جریان بالا
چکیدهمنبع قدرت سوئچینگ ولتاژ پایین و جریان بالا بر مبنای تکنولوژی الکترونیکی قدرت، به طور گسترده ای در برخی از  زمینه های صنعتی مخصوصا در آبکاری، جوشکاری و حرارت بکار می رود.هارمونیک ها در منبع سوئیچینگ قدرت بالا، سیستم قدرت را به شدت آلوده می کند که باید از این امربه طور موثر جلوگیری شود. بر اساس تجزیه و تحلیل جریان هارمونیک منبع سوئیچینگ با ویژگی فنی خروجی 60 ولت/ 500 آمپر، این مقاله فیلتر توان اکتیو برای قدرت وفرکانس بالا را طراحی می کند که از روش جریان یابی (آشکار سازی جریان) ip-iq  و روش کنترل جریان(هیسترزیس) پسماند مغناطیسی اتخاذ شده است. براساس شبیه سازی مطلب یا سیمیولینک ( Matlab/ Simulink) ، تاثیر فیلترسازی، شبیه سازی و تجزیه و تحلیل شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که فیلتر توان اکتیو عملکردی را پیش بینی می کند که نمی تواند از جریان هارمونیک به طور لحظه ای جلوگیری کند و توان واکنشی را جبران کند(تنظیم می کند). این فیلترتوان اکتیو طراحی شده، می تواند به طور موثری کیفیت قدرت  ( توان) را بهبود بخشد.
واژگان کلیدی : جریان بالا و ولتاژ پایین؛ منبع قدرت سوئیچینگ؛فیلترتوان اکتیو: جریان هارمونیک ؛ کنترل جریان پسماند مغناطیسی.

برق 6. سازگاری عصبی نسبت به تمرین استقامتی تحریک الکتریکی

سازگاری عصبی نسبت به تمرین استقامتی تحریک الکتریکیچکیدهچکیده. این مقاله شواهدی را در ارتباط با این فرضیه مد نظر قرار می دهد که تمرین استقامتی محرک الکتریکی (EST) باعث افزایش نیروی انقباض ارادی حداکثر (MVC) از طریق سازگاری عصبی در ماهیچه های اسکلتی سالم می گردد. اگرچه محرک های الکتریکی و فعالیت های داوطلبانه ماهیچه را به شکل مختلفی فعال می سازد، دلایل مهمی وجود دارد که نشان می دهد، EST تحریک پذیری مسیرعصبی خاص را تغییر داده و چنین انطباقی دارای سهمی در افزایش نیروی MVC دارد. همانند تمرین های مقاومتی به همراه انقباض ارادی، EST نیروی MVC را تنها بعد از چند مرحله با تغییراتی در بیوشیمی ماهیچه افزایش داده اما این موارد بدون هیپرتروفی آشکار ماهیچه صورت می پذیرد. شواهد ادغام شده ای نیز در مورد سازگاری عصبی نخاعی به شکل افزایش در دامنه انقباض ناگهانی درونی و در دامنه موج های ارادی به همراه شواهد کمتری برای تغییر در تحریک پذیری نخاعی وجود دارد. مطالعات ورزشی و سطح مقطع  همچنین نشان می دهد که رشته های حسی و گیرنده درد در سطح غشایی فعالیت کرده و می توانند به تغییر بازده قشری حرکتی و مسیرهای بین نیمکره بپردازند. این داده ها نشان می دهد که انطباق به عنوان رابطی برای افزایش اولیه در نیروی MVC بعد از EST کوتاه مدت می گردد. 

برق 114. مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم حرارتی آشکارساز نوری Ge-on-SOI با تزویج میرا شونده بر روی پلات-فرم CMOS سیلیکونی

مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری Ge-on-SOI با تزویج میرا شونده بر روی پلات-فرم CMOS سیلیکونی
چکیده__طراحی و ساخت آشکارساز نور ژرمانیوم-روی-سیلیکون-روی-عایق (SOI) (منظور آشکارسازی با لایه های به ترتیب ژرمانیوم، سیلیکون و عایق بر روی یکدیگر)، با تزویج میرا شونده که بطور یکپارچه مجتمع شده است و مدارات CMOS، بر روی پلات-فرم های (پایگاه های) SOI رایج با استفاده از روش مجتمع سازی "نخست-الکترونی و سپس-فوتونی" ساخته شده است. آشکارساز نور با کارایی بالا، با یک موجبر سیلیکونی مجتمع شده، بر روی لایه همبافته جذب کننده-ژرمانیوم که بر روی یک لایه SOI بسیار نازک بطور هدفمند رشد داده شده است، نشان داده شده است. معیارهای عملکرد طراحی آشکارساز نور را که پیکربندی های PIN عمودی و جانبی را نمایان می کنند، مورد تحقیق قرار گرفته اند. زمانی که در بایاس -1.0 v کار می کند، یک آشکارساز PIN عمودی دارای جریان Idark کمتر از ∼0.57میکرو آمپر می باشد؛در حالی که یک آشکارساز PIN جانبی مقداری کمتر از حد بالایی 1 میکروآمپری متناوب _که برای گیرنده های-سرعت-بالا قابل قبول است_ دارد. پاسخ دهی بسیار سریع ∼0.92 A/W، در هر دو طراحی آشکارساز به ازای طول موج 1550 نانومتر بدست آمده است، که درای بازده ی کوآنتومی 73% می باشد. اندازه گیری های پاسخ ضربه نشان دادند که آشکارساز PIN عمودی، در نیم-حداکثر ∼24.4 ps در یک آشکارساز PIN جانبی، به یک تمام-عرض کوچک تر افزایش پیدا می کند، که در -3 dB با پهنای باند 11.3 گیگاهرتز انجام می پذیرد. آن طور که پیداست، تاخیر زمان RC، مهم ترین عامل در پایین آوردن عملیت سرعت می باشد. به علاوه اندازه گیری طرح چشم (ترتیب باینری شبه تصادفی 2^7-1)، دستیابی آشکار سازی نوری سرعت-بالا و کم-نویز را در سرعت ذره ای (بیت ریت) 8.5 گیگابایت بر ثانیه تحقیق می کند. همچنین مشخصه های انتقال و خروجی بسیار خوب، با مدارات مجتمع (آی سی ها) اینورتر CMOS، به اضافه عملکرد های درست منطقی، بدست آمده است. معرفی یک بادجت حرارتی اضافی (800 درجه سیلیسیوس) منتج شده از رشد همبافتی ژرمانیوم، اثر زیان آور قابل مشاهده ای کنترل کانال-کوتاه مدار اینورتر CMOS ندارد. ما همچنین، مباحث مربوط به مجتمع سازی یکپارچه را روشن سازی کرده و در مورد پتانسیل گیرنده آشکارساز-Ge/CMOS سلیکون برای کاربردهای مخابراتی فیبر نوری آینده، بحث خواهیم کرد.