برق 134. یک پیش تحریک پیشرفته DC با کنترل شار موثر پیوندی برای سیستم درایو موتور القایی توان بالا
یک پیش تحریک پیشرفته DC با کنترل شار موثر پیوندی برای سیستم درایو موتور القایی توان بالا
چکیده:این مقاله، یک پیش تحریک پیشرفته و توسعه یافته DC برای سیستم درایو موتور القایی کنترل شده بصورت ولتاژ متغیر – فرکانس متغیر را پیشنهاد می دهد. بردارهای ولتاژ بر طبق مولفه راکتیو جریان موتور تنظیم می شوند که خیلی سریع مقدار شار موثر پیوندی موتور در مرحله پیش تحریک را برقرار می سازد و خط سیرش را کل پروسه راه اندازی دقیقاً بصورت یک دایره گرد نگه می دارد. کنترل پیش تحریک پیشرفته DC منجر به اعوجاج کمتر شار پیوندی، لرزش کمتر گشتاور و بطور قابل ملاحظه ای جریان هجومی کمتر، می شود. آزمایشات بر روی یک سیستم درایو سرعت متغیر 380 V ac – 315 kw ، به موثری و صحت روش پیشنهادی اعتبار می بخشد.
برق 123. مدلسازی و شبیه سازی یک سیستم تولید میکروتوربینی
مدلسازی و شبیه سازی یک سیستم تولید میکروتوربینی
چکیده: در یک سیستم انرژی هایبرید شامل منابع انرژی تجدیدپذیر باید چند وسیله ذخیره ساز یا تولید پشتیبان برای حفظ پیوستگی تغذیه بار هنگامیکه منبع تجدیدپذیر بتنهایی کافی نیست وجود داشته باشد. هدف از این مقاله، ارائه یک سیستم تولیدی است که قادر باشد به عنوان یک ژنراتور پشتیبان عمل کند. این مقاله مدلسازی و شبیه سازی یک سیستم تولیدی میکروتوربین (MGT) ، یک منبع مناسب انرژی تجدیدپذیر برای عملکرد مجزا و مستقل همانند عملکرد اتصال به شبکه را ارائه می کند. سیستم از یک ژنراتور سنکرون مغناطیس دائم با محرکه یک میکروتوربین تشکیل می شود. یک توصیف مختصری از کل سیستم ارائه می شود و مدلهای ریاضی برای میکروتوربین و ژنراتور سنکرون مغناطیس دائم ارائه می شود. مدلهای ایجاد شده با استفاده از نرم افزار MATLAB/SIMULINK شبیه سازی می شوند .
برق 118. ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر CMOS جدید
ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر CMOS جدید
چکیده__ چهار ضرب کننده ولتاژ برمبنای اینورتر CMOS جدید تشکیل شده از ترانزیستورهای عبور PMOS/NMOS، مدارات اینورتر، و خازن ها، در این مقاله ارایه شده اند. ضرب کننده های ولتاژ ارایه شده که عملیات یکسوسازها و پمپ های شارژ را با هم انجام می دهند، بازده ی تبدیل توان را بالا برده و تعداد مولفه های واکنشی (غیر فعال یا پسیو) را کاهش می دهد، بنابر این برای ساخت آی سی مناسب می باشند. ضرب کننده ولتاژ با ولتاژ خروجی مثبت، توسط فرآیندهای TSMC 0.35μm CMOS 2P4M پیاده سازی شده، و نتایج آزمایشی نیز مطابقت خوبی با تجزیه و تحلیل های نظری داشتند. سطح تراشه ی بدون پد، به ازای ولتاژ خروجی مثبت پنج-مرحله ای ضرب کننده ولتاژ، تنها 1.75×1.32 mm2 می باشد.
برق 98. مدل قابلیت اطمینان سیستم توزیع اتوماسیون شده مرکب با در نظر گرفتن پست های اتوماتیک گوناگون
مدل قابلیت اطمینان سیستم توزیع اتوماسیون شده مرکب با در نظر گرفتن پست های اتوماتیک گوناگون
چکیده ــ با تکیه بر این حقیقت که اتوماسیون می تواند بطور چشمگیری قابلیت اطمینان پست ها و نیز سیستم توزیع را بهبود بخشد، این مقاله یک مدل ارزیابی قابلیت اطمینان مرکب از سیستم توزیعی که اثرات پست های اتوماسیون شده توسط پیکربندی های اتوماسیون مختلف، بر قابلیت اطمینان سیستم های توزیع اولیه مجهز به یک طرح اتوماسیون توزیع (DA) مشخص، را نشان می دهد، ارایه می دهد. نخست، سه ساختار از سیستم های اتوماسیون پست (SAS)، به نام های حلقه، سری ، و ستاره، مرور می شوند و دیاگرام بلوگی های قابلیت اطمینان (RDB) آنها توسعه داده می شوند. سپس ارزیابی های قابلیت اطمینان برای 4 نوع از پست های اتواماتیک، با استفاده از نمودار درختی رویداد و مفهوم روش های پیش بینی، انجام می پذیرد. پس از آن، یک طرح توزیع اتوماتیک که بعنوان سیستم قطع پایین (LIS) در نظر گرفته شده است، مرور می شود و سپس روابط میان SAS و DA با استفاده از روش نمودار درختی رویداد، مدل می شود. در پایان، با ارایه فرمول های آشکار برای ارزیابی قابلیت اطمینان سیستم توزیع خودکار (اتوماتیک)، مدل های ارزیابی قابلیت اطمینان مرکب، کامل خواهند شد. تکنیک فرآیند، به پنج پیکربندی سیستم، اِعمال شده است.
کلیدواژه ها: پست اتوماتیک، مدل ارزیابی قابلیت اطمینان مرکب، اتوماسیون توزیع، ارزیابی کمیتی قابلیت اطمینان، سیستم اتوماسیون توزیع
برق 102. تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد
تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد
چکیده__ در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه ی سیلیکون-بر-عایق (SOI)، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.