برق 116. الگوریتم تخمین فازور دینامیکی اصلاح شده برای سیگنال های گذرای ژنراتورهای توزیع شده

الگوریتم تخمین فازور دینامیکی اصلاح شده برای سیگنال های گذرای ژنراتورهای توزیع شده
    چکیده__ در این مقاله، یک روش تخمین (پیشبینی) فازور دینامیک اصلاح شده برای رله های حفاظتی ارایه شده است، تا فازور دینامیکی مولفه اصلی فرکانس را با دامنه متغیر-با-زمان، محاسبه کند. فرض شده است که جریان خطا، ترکیبی از آفست میرا شونده dc، یک فرکانس مولفه اصلی میرا شونده، و هارمونیک های با دامنه های ثابت است. توابع نمایی آفست dc در حال محو و مولفه اصلی فرکانس، با سری های تیلور جایگزین شده اند. سپس، از روش LC (کوچکترین مربع یا مجذور) برای تخمین دامنه ها و ثابت های زمانی مولفه های میرا شونده، استفاده شده است. عملکرد این الگوریتم، با بکاربری از سیگنال هایی که بر مبنای معادلات ساده و سیگنال های خطای بدست آمده از مدل مزرعه بادی DFIG در MATLAB Simulink شبیه سازی شده اند، ارزیابی شدند. نتایج نشان می دهند که الگوریتم ارایه شده ما می تواند تخمینی دقیق از دامنه میراشونده و ثابت زمانی مولفه اصلی فرکانس، ارایه دهد.
اصطلاحات مربوط__ ژنراتورهای توزیع شده، فازور دینامیک اصلاح شده، تخمین فازور، جریان خطای متغیر با زمان.

برق 133. مقایسه اینورترهای سه سطحی ونه سطحی تغذیه کننده درایوهای موتورالقایی

مقایسه اینورترهای سه سطحی ونه سطحی تغذیه کننده درایوهای موتورالقاییچکیدهدر این مقاله مقایسه بین اینورهای سه سطحی و اینورترهای نه سطحی تغذیه کننده درایو موتور القایی بیان می شود. یک مبدل منبع ولتاژ (VSI) مرسوم تغذیه کننده درایو موتور القایی، با استفاده از نرم افزار Matlab/Simulink مدلسازی و شبیه سازی می شود و نتایج ارائه می شود. همچنین اینورتر نه سطحی شبیه سازی می شود و نتایج مربوطه ارائه می گردد. طیف های تحلیل فوریه سریع (FFT) برای خروجیها برای مطالعه و بررسی کاهش هارمونیکها تحلیل می شوند.
کلمات کلیدی: موتور القایی، اینورتر چند سطحی، مبدل منبع ولتاژ، Matlab/Simulink

برق 158. رابط تولید تعاملی DGبرای بهربرداری ریزشبکه قابل انعطاف در سیستم توزیع هوشمند

رابط تولید تعاملی DGبرای بهربرداری ریزشبکه قابل انعطاف در سیستم توزیع هوشمندچکیده:دراین مقاله به موضوع رابط تعاملی (DG) برای عملیات  ریز شبکه انعطاف پذیردر محیط سیستم توزیع هوشمند می پردازیم . تحت محیط شبکه هوشمند واحدهای  DG باید عضوی از قالب سیستم های قابل کنترل باشند طوریکه انها   می توانند توانایی سیستم را با فراهم نمودن تولید BACKUP به تنهایی و با فراهم کردن خدمات کمکی مانند تقویت ولتاژ و کنترل قدرت راکتیو در وضعیت اتصال شبکه  افزایش دهند. برای دست یابی به چنین شروطی رابط کنترل که بیش تر راجع به ان صحبت شد از جریان _ولتاژ_قدرت ثابت استفاده میکند که ساختار کنترل را چند شاخه میکند یا اتصال سری ایجاد می کند تا سوییچینگ تابع کنترل را کاهش دهند  و با ساختار کنترل داخلی برای افزایش عملکرد رد اختلال در اطراف DG تجهیز شوند سیستم کنترل ذکر شده : مشخصه های موثر انعطاف پذیر و قوی  DG  را اسان میکنند.

برق 157. طراحی فیلتر توان اکتیو (قدرت حقیقی) برای منبع قدرت سوئیچینگ ولتاژ پایین و جریان بالا

طراحی فیلتر توان اکتیو (قدرت حقیقی) برای منبع قدرت سوئیچینگ ولتاژ پایین و جریان بالا
چکیدهمنبع قدرت سوئچینگ ولتاژ پایین و جریان بالا بر مبنای تکنولوژی الکترونیکی قدرت، به طور گسترده ای در برخی از  زمینه های صنعتی مخصوصا در آبکاری، جوشکاری و حرارت بکار می رود.هارمونیک ها در منبع سوئیچینگ قدرت بالا، سیستم قدرت را به شدت آلوده می کند که باید از این امربه طور موثر جلوگیری شود. بر اساس تجزیه و تحلیل جریان هارمونیک منبع سوئیچینگ با ویژگی فنی خروجی 60 ولت/ 500 آمپر، این مقاله فیلتر توان اکتیو برای قدرت وفرکانس بالا را طراحی می کند که از روش جریان یابی (آشکار سازی جریان) ip-iq  و روش کنترل جریان(هیسترزیس) پسماند مغناطیسی اتخاذ شده است. براساس شبیه سازی مطلب یا سیمیولینک ( Matlab/ Simulink) ، تاثیر فیلترسازی، شبیه سازی و تجزیه و تحلیل شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که فیلتر توان اکتیو عملکردی را پیش بینی می کند که نمی تواند از جریان هارمونیک به طور لحظه ای جلوگیری کند و توان واکنشی را جبران کند(تنظیم می کند). این فیلترتوان اکتیو طراحی شده، می تواند به طور موثری کیفیت قدرت  ( توان) را بهبود بخشد.
واژگان کلیدی : جریان بالا و ولتاژ پایین؛ منبع قدرت سوئیچینگ؛فیلترتوان اکتیو: جریان هارمونیک ؛ کنترل جریان پسماند مغناطیسی.

برق 114. مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم حرارتی آشکارساز نوری Ge-on-SOI با تزویج میرا شونده بر روی پلات-فرم CMOS سیلیکونی

مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری Ge-on-SOI با تزویج میرا شونده بر روی پلات-فرم CMOS سیلیکونی
چکیده__طراحی و ساخت آشکارساز نور ژرمانیوم-روی-سیلیکون-روی-عایق (SOI) (منظور آشکارسازی با لایه های به ترتیب ژرمانیوم، سیلیکون و عایق بر روی یکدیگر)، با تزویج میرا شونده که بطور یکپارچه مجتمع شده است و مدارات CMOS، بر روی پلات-فرم های (پایگاه های) SOI رایج با استفاده از روش مجتمع سازی "نخست-الکترونی و سپس-فوتونی" ساخته شده است. آشکارساز نور با کارایی بالا، با یک موجبر سیلیکونی مجتمع شده، بر روی لایه همبافته جذب کننده-ژرمانیوم که بر روی یک لایه SOI بسیار نازک بطور هدفمند رشد داده شده است، نشان داده شده است. معیارهای عملکرد طراحی آشکارساز نور را که پیکربندی های PIN عمودی و جانبی را نمایان می کنند، مورد تحقیق قرار گرفته اند. زمانی که در بایاس -1.0 v کار می کند، یک آشکارساز PIN عمودی دارای جریان Idark کمتر از ∼0.57میکرو آمپر می باشد؛در حالی که یک آشکارساز PIN جانبی مقداری کمتر از حد بالایی 1 میکروآمپری متناوب _که برای گیرنده های-سرعت-بالا قابل قبول است_ دارد. پاسخ دهی بسیار سریع ∼0.92 A/W، در هر دو طراحی آشکارساز به ازای طول موج 1550 نانومتر بدست آمده است، که درای بازده ی کوآنتومی 73% می باشد. اندازه گیری های پاسخ ضربه نشان دادند که آشکارساز PIN عمودی، در نیم-حداکثر ∼24.4 ps در یک آشکارساز PIN جانبی، به یک تمام-عرض کوچک تر افزایش پیدا می کند، که در -3 dB با پهنای باند 11.3 گیگاهرتز انجام می پذیرد. آن طور که پیداست، تاخیر زمان RC، مهم ترین عامل در پایین آوردن عملیت سرعت می باشد. به علاوه اندازه گیری طرح چشم (ترتیب باینری شبه تصادفی 2^7-1)، دستیابی آشکار سازی نوری سرعت-بالا و کم-نویز را در سرعت ذره ای (بیت ریت) 8.5 گیگابایت بر ثانیه تحقیق می کند. همچنین مشخصه های انتقال و خروجی بسیار خوب، با مدارات مجتمع (آی سی ها) اینورتر CMOS، به اضافه عملکرد های درست منطقی، بدست آمده است. معرفی یک بادجت حرارتی اضافی (800 درجه سیلیسیوس) منتج شده از رشد همبافتی ژرمانیوم، اثر زیان آور قابل مشاهده ای کنترل کانال-کوتاه مدار اینورتر CMOS ندارد. ما همچنین، مباحث مربوط به مجتمع سازی یکپارچه را روشن سازی کرده و در مورد پتانسیل گیرنده آشکارساز-Ge/CMOS سلیکون برای کاربردهای مخابراتی فیبر نوری آینده، بحث خواهیم کرد.